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砷化鎵晶圓的材料特性
砷化鎵(GaAs)是國際公認(rèn)的繼“硅”之后最成熟的化合物半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，作為第二代半導(dǎo)體材料中價格昂貴的一種，被冠以“半導(dǎo)體貴族”之稱，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。
砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過程中更容易產(chǎn)生芯片崩裂現(xiàn)象，使芯片的晶體內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力損傷,導(dǎo)致產(chǎn)品失效和使用性能降低。
砷化鎵晶圓的應(yīng)用
用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可用于生產(chǎn)二極管、場效應(yīng)晶體管（FET）和集成電路（IC）等，主要應(yīng)用于高端軍事電子、光纖通信系統(tǒng)、寬帶衛(wèi)星無線通信系統(tǒng)、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領(lǐng)域。
目前，基于砷化鎵襯底的led發(fā)光芯片在市場上有大量需求。
選刀要點(diǎn)
切割砷化鎵晶圓，通常采用輪轂型電鍍劃片刀，選刀不當(dāng)極易造成晶片碎裂，導(dǎo)致成品率偏低。用極細(xì)粒度金剛石（4800#，5000#）規(guī)格的刀片，能有效減少晶片碎裂，但切割之前需要進(jìn)行修刀。
案例實(shí)錄
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測試目的
1、對比測試
2、驗證切割品質(zhì)
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材料情況
切割產(chǎn)品 | 砷化鎵外延片 |
產(chǎn)品尺寸 | 4寸 |
產(chǎn)品厚度 | 100μm |
膠膜類型 | 藍(lán)膜 |
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修刀參數(shù)
修刀板型號 | 5000# |
尺寸規(guī)格 | 75x75x1mm |
修刀速度 | 8/10/15 mm/s |
修刀刀數(shù) | 3種速度各5刀 |
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工藝參數(shù)
切割工藝 | 單刀切透 |
設(shè)備型號 | DAD322 |
主軸轉(zhuǎn)速 | 38K rpm |
進(jìn)刀速度 | CH2:25mm/s CH1:35mm/s |
刀片高度 | CH2:0.08mm CH1:0.07mm |
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樣刀準(zhǔn)備
SSTYE 5000-R-90-AAA
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樣刀規(guī)格
刀片型號 | 5000-R-90 AAA |
金剛石粒度 | 5000# |
結(jié)合劑硬度 | R（硬） |
集中度 | 90 |
切痕寬度 | 0.015-0.020 |
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測試結(jié)果
1、刀痕良好，＜18μm，在控制范圍內(nèi)。
2、正面崩邊＜3μm。
3、背面崩邊＜15μm，在控制范圍內(nèi)。
切割效果